第二百八十四章：出乎意料的国内商家 (第2/2页)
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底储放装置，并将基底放置于基底储放装置上。”
“第四步：向制备仪器腔体内通入还原性气体，并将腔体内压强和温度调至制取时所需要的压强和温度。”
“第五步：向制备仪器腔体内通入气态硅源，在基底表面生成预设厚度的牺牲层。”
“第六步：控制时间，让单晶硅层在牺牲层上方形成。”
“第七步：将单晶硅层和牺牲层的连接体与基底分离。”
“七步程序，都可以使用计算机程序进行监控和控制，所（本章未完，请翻页）
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