第二百八十五章：华国的布局 (第1/2页)
三寸寒秋提示您：看后求收藏（天籁书屋www.qdfangde.com），接着再看更方便。
在通过弹幕了解到国内的厂商直接和岛国杠起来后，韩元并没有多说什么，而是转身继续完成制备单晶硅。
不过却有细心的观众和各国的专家们发现这名主播的讲解，似乎详细了不少。
“‘化学气相沉积-硅核心外延法’制备单晶硅最主要的方式一般是两种。”
“第一种是‘四氯化硅氢还原法’。”
“之前看过我制备碳化硅晶材的朋友应该就知道，‘四氯化硅氢还原法’是制取高纯度多晶硅的一种方法。”
“但事实上它同样是可以用来制备单晶硅的。”
“不过我今天使用的并非这个，而是第二种‘硅烷热分解法’。”
“相对于‘四氯化硅氢还原法’来说，‘硅烷热分解法’更加简单，制备流程走的步骤也更少一些。”
“不过有一点要注意。”
“那就是温度。”
“温度对硅烷外延生长速度影响不大，但对外延层质量影响很大。”
“例如，当温度高于1100c时，外延层的自掺杂效应较为严重，反之，若温度过低，外延层的晶体完整性差、缺陷多。”
“实践证明:当用氢气作携带气体时，1050c左右为最佳生长温度；影响硅烷外延生长速度的最主要因素是硅烷在氢气中的浓度，一般随着氢气中硅烷的增加，生长速度也按比例增加的......”
“另外要注意的是，虽然硅烷热分解外延具有生长温度较低，反应机构简单，无卤化物、无自渗杂等优点。”
“但硅烷易燃易爆，而且硅烷外延时生成的单晶硅受硅烷气体纯度的影响较大，外延层杂质的分布也比较难控制。”
“所以如何提炼出来高纯度的硅烷气体，以及保持设备内的无尘净结是使用‘硅烷热分解法’制备单晶硅的重点。”
“........”
通过韩元不断的讲解，直播间里面其他的观众在一些细心观众的提示下，也逐渐发现讲解内容似乎变得更加详细了。
像温度控制这种具体到某一个点，生长速度随着氢气携带浓度的提升而提升这种类型的细节，在以前的直播过程中是绝对没有的。
而这一次有了。
这让直播间里面的绝大部分观众都兴奋了起来，三朋五友的，这些观众不断在现实中呼喊自己的朋友前来观看。
尽管他们看不懂，甚至都听不懂韩元到底在说什么，但直播间里面的观众人数依
