第四百一十六章：轨道杂化-石墨烯带隙问题 (第1/2页)
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用于光蚀碳基芯片的光刻机组装完成，需要的基础材料也都有了，接下来要做什么自然不言而喻。
直播间里面的绝大部分观众对后面的事情都很期待，希冀着碳基芯片的到来。
至于为什么说是绝大部分而不是全部，那自然是群众间有坏人啊。
模拟空间内，韩元在高标准的净洁无尘化学实验室中处理着制造碳基芯片用的石墨烯单晶晶圆材料。
有了石墨烯单晶晶圆材料并不代表着碳基芯片就十拿九稳了。
超高纯度的石墨烯单晶晶圆只是制造碳基芯片的最基础材料，除此之外,还有碳纳米管、高纯度碳化硅晶材这些都是需要附属上去的。
就像硅基芯片的单晶硅一样，石墨烯单晶虽然性能优异，但因为本书属于单晶级材料，也是需要进行掺杂其他离子材料进行制造相应的p、n类半导体。
这一步无论是在硅基芯片上还是碳基芯片上都必不可免。
当然，给石墨烯单晶晶圆进行掺杂的手法和掺杂的离子材料和单晶硅肯定是不同的。
碳和硅，这两种材料都属于碳族元素,而且两者最外层都有四个电子，两元素有着非常相似价层电子组态，区别在于内核的质子数与外层电子数不同。
碳的核内有6个质子，硅的核内有14个质子。
碳的电子数目是6個，分两层，里层2个，外层4个。
而硅的电子数目是14个，分三层，里层2个，中间层8个，外层4个。
质子和电子数目不同，这导致了它们的成键性质不同，也导致了它们在面对不同材料时成键轨道、性质以及对应的键能量级不同。
用一句比较容易理解的话来说，那就是碳原子在对面各种其他原子的时候，能形成比硅更加稳化合物。
碳原子与碳原子之间、碳原子和其他原子之间形成共价键，键能大，化合物较稳定，所以在自然界能形成种类繁多的化合物。
这也是为什么在地球上,明明是硅在地壳中含量仅次于氧,远比碳多，但自然界中硅元素的化合物种类却没有碳元素的化合物种类多原因。
因为硅的化合物没有碳的稳定。
而这点,其实是可以应用到碳基芯片的制造上面的，
应用碳的化合物来制造相应的p、n类半导体，其理论基础是‘轨道杂化理论’。
解决的问题是石墨烯单晶材料的‘带隙’问题。
石墨烯单晶材料的
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