第一百七十二章：碳基芯片 (第1/2页)
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看着虚拟屏幕上的二级任务奖励，韩元的喉结动了动，情不自禁的咽了下口水。
翻身，起立，他飞奔回书房打开电脑，从网上搜索着有关芯片相关的信息。
【碳基芯片、仿生机器人、元宇宙、超时空音乐会……云栖大会即将开幕，将重磅发布核心技术。】
【碳基芯片成华威救命稻草，华威主动公开专利，引发华米碳基芯片对决。】
【硅基芯片即将到达极限？台积电再传好消息，我国早已布局。】
【硅基芯片物理极限是七纳米，为何台积电却依然能做出五纳米的芯片?】
【硅基光电子与微电子单片集成研究进展.......】
网页上，一条又一条和芯片有关的信息映入韩元眼中。
十余分钟后，他终于放下了鼠标，身体往后一倒，靠在椅背上。
硅基芯片有另外一个名字，叫做‘硅基光电子集成芯片’。
从命名来看，这个‘碳基集成电路板’几乎可以确认属于集成芯片中的概念。
只是不知道这个集成电路能达到一个什么样的地步？
能不能突破硅基芯片极限？
对于这个，韩元很是期待。
要知道，传统的硅基芯片是有极限的。
这是物理极限，由硅原子和硅晶格的直径决定的，硅原子的直径是纳米，但硅晶格的直径是纳米左右。
当硅基芯片突破1nm之后，量子隧穿效应将使得“电子失控”，芯片就完全失效。
准确的说，传统的硅基芯片在5nm，甚至7nm以下，就已经存在量子隧穿效应了。
但后面科学家通过不断的更换晶体管的材料来打破这个极限。
世界上最小的晶体管是栅极长度为1纳米的二硫化钼。
但无论再怎么更换晶体管的材料，硅基底的物理特性摆在了哪里。
也就是说，硅基半导体材料的极限注定在一纳米这个数字上。
低于一纳米，穿梭在晶体管中的电子会直接击穿硅基底的晶格结构，从而造成电子乱串。
这也就是所谓的‘量子隧穿效应’，亦是硅基芯片的极限。
然而这也只是理论，实际上由于物理所限，硅基芯片技术能做到两纳米几乎是极限了，硅基管不能再小了。
一纳米，那几乎就是黑科技。
所以芯片如果想要再进一步发展，那么寻找其他的材料来替
